စစ္ - Bipolar (BJT) - Array များ

ULN2074B

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 26622

Transistor အမျိုးအစား: 4 NPN Darlington (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.75A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.4V @ 2mA, 1.25A,

MMDT5401-TP

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135214

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

UMT2NTR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 166499

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

EMX52T2R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 177844

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

VT6X1T2R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 181553

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V,

ULN2002AN

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 62675

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA,

SN75468N

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 74052

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA,

ULN2003AIPWE4

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 166312

Transistor အမျိုးအစား: 7 NPN Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 500µA, 350mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA,

JANTX2N4854U

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4433

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 15mA, 150mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

DSS4160DS-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 183395

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

ZDT1053TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 94891

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 75V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 440mV @ 250mA, 5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

ZXTD2090E6TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 190276

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 270mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

DMMT3904W-7-F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 109359

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual) Matched Pair, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

DMMT5401-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4466

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual) Matched Pair, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

PIMZ2,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 134203

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

PEMT1,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 170352

SLA6023

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 10754

Transistor အမျိုးအစား: 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 6A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 10mA, 5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 4V,

STA412A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 24961

Transistor အမျိုးအစား: 4 NPN (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 10mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 4V,

CMLT3906EG TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 117766

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 200mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1V,

CMLT2907A TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 185354

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

MD918B

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4520

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 15V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 900mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3mA, 5V,

MD2369B

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4523

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 15V, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

HN1B01F-GR(TE85L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4437

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

HN4A06J(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4500

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

HN2C01FE-GR(T5L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4488

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

CPH5518-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191552

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 190mV @ 10mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

NST45010MW6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 101769

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual) Matched Pair, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 650mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

MBT3946DW1T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 160969

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MBT3904DW2T1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4430

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

EMX1DXV6T1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4444

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

SBC847BPDW1T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 100387

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

FTM3725

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6443

Transistor အမျိုးအစား: 4 NPN (Quad), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 950mV @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

NSVMBT3904DW1T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 153046

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

DMA206010R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 187757

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

XN0460900L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4459

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 20mA, 500mA / 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V / 160 @ 2mA, 10V,

SMBT3904PNE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4430

Transistor အမျိုးအစား: NPN, PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,