Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

EFC2J017NUZTDG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 166927

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.3V @ 1mA,

FDMS3669S

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 164375

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 13A, 18A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.7V @ 250µA,

EFC4627R-TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 182266

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDG6332C

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 126485

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 700mA, 600mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDC6303N

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 175306

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 680mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FW216A-TL-2WX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3039

ECH8691-TL-W

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 147834

NVMFD5489NLWFT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 97513

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDS6961A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 151064

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C478NLWFT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6481

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10.5A (Ta), 29A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 20µA,

FDMD8280

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 48032

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.2 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 250µA,

EFC4621R-TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191534

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDG6304P-X

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2943

CSD87334Q3D

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 121075

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6 mOhm @ 12A, 8V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

CSD87503Q3ET

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4047

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Source, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10A (Ta), Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.1V @ 250µA,

CSD88539ND

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 153712

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.6V @ 250µA,

DMNH6021SPDQ-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 153434

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8.2A, 32A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN61D8LVT-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 146214

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 630mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 1mA,

ZXMHC10A07N8TC

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135940

FET အမျိုးအစား: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 800mA, 680mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 250µA,

ZXMC3A16DN8TC

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 118900

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.9A, 4.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMP2075UFDB-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 218

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.8A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 75 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.4V @ 250µA,

DMP1046UFDB-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 127126

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SQJ844AEP-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 165127

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 16.6 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4511DY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3311

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.2A, 4.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.8V @ 250µA,

SI5511DC-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3024

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A, 3.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 250µA,

SSM6N357R,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 16211

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 650mA (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 1mA,

SSM6P35FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 121978

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

GWM120-0075P3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2981

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 75V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 118A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 1mA,

FMP26-02P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4082

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 26A, 17A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 250µA,

GWM180-004X2-SLSAM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3050

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 180A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4.5V @ 1mA,

SLA5060

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 10412

FET အမျိုးအစား: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 220 mOhm @ 3A, 4V,

SLA5073

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12628

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 300 mOhm @ 3A, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 250µA,

EPC2104ENGRT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13673

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

EPC2101ENGRT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13969

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.5A, 38A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 2mA,

IRF8915TRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 198689

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NX138BKSX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 123100

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 210mA (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,