Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

STS5DP3LLH6

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 158516

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 56 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

CTLDM8120-M832DS TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2989

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 860mA (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 150 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

CMLDM7003T TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 101341

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 50V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 280mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

SQJQ960EL-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13208

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 63A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4946CDY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 10817

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.2A (Ta), 6.1A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 40.9 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI3590DV-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 112867

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.5A, 1.7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 77 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI5933DC-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2988

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 110 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

TPS1120DR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 79109

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 15V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.17A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

CSD86350Q5D

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 61562

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 40A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6 mOhm @ 20A, 8V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.1V @ 250µA,

CSD85301Q2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 106554

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 5V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 27 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

CSD87313DMS

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 10773

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.25V @ 250µA,

US6J2TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 151598

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 1mA,

ZXMC3AMCTA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 166321

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.9A, 2.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMN3A06DN8TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 106246

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMN32D4SDW-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 108857

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 650mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 400 mOhm @ 250mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.6V @ 250µA,

ZXMP3A16DN8TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 85137

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 4.2A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMN61D8LVTQ-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 110922

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 630mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 1mA,

DMC1016UPD-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 160062

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.5A, 8.7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDZ1905PZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 141781

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 126 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

FDS4897AC

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 185708

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.1A, 5.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 26 mOhm @ 6.1A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4105CT2G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 142228

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, 8V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 630mA, 775mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EFC2J004NUZTDG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 16565

FDG6335N

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139409

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 700mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FTCO3V455A1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2644

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 150A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.66 mOhm @ 80A, 10V,

FDC6301N_G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3340

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 220mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6303N

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 133613

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 500mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDC7002N

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 180782

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 50V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 510mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2 Ohm @ 510mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

NTMFD4902NFT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 169718

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), Schottky, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10.3A, 13.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTD5C668NLT4G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 10795

FET အမျိုးအစား: N-Channel, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15A (Ta), 48A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.9 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.1V @ 250µA,

FDG6318PZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 145958

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 500mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

IRF7755TRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2972

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7101TRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 197154

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

IRF7389PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 49826

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

IRLHS6276TR2PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2990

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.1V @ 10µA,

CCS020M12CM2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 413

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 29.5A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 1mA (Typ),

SLA5065

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 11897

FET အမျိုးအစား: 4 N-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 250µA,