Menu
မြန်မာမြန်မာ
rfqs / အမိန့်
0rfqs / အမိန့်

စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

BSZ130N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ130N03LSGATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 21600

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10A (Ta), 35A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 13 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
BSC050N04LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC050N04LSGATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 103781

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 18A (Ta), 85A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist
BSZ105N04NSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ105N04NSGATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 21594

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11A (Ta), 40A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
BSZ22DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ22DN20NS3GATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 21553

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 225 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist
BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies

BSC070N10NS5ATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 104340

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 80A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist
BSZ025N04LSATMA1
Infineon Technologies

BSZ025N04LSATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 110699

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 22A (Ta), 40A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
BSS192PH6327FTSA1
Infineon Technologies

BSS192PH6327FTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 153059

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 250V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 190mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12 Ohm @ 190mA, 10V,

Wishlist
BSO301SPHXUMA1
Infineon Technologies

BSO301SPHXUMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 21599

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12.6A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 mOhm @ 14.9A, 10V,

Wishlist
BSB056N10NN3GXUMA1
Infineon Technologies

BSB056N10NN3GXUMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 51208

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9A (Ta), 83A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.6 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
BSS138NH6433XTMA1
Infineon Technologies

BSS138NH6433XTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 134179

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 230mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Wishlist
BSL211SPH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSL211SPH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 188020

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.7A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Wishlist
BSS314PEH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS314PEH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 128504

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 140 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wishlist
BSP299H6327XUSA1
Infineon Technologies

BSP299H6327XUSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 143742

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 400mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 Ohm @ 400mA, 10V,

Wishlist
BSC080N03MSGATMA1
Infineon Technologies

BSC080N03MSGATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 133930

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 13A (Ta), 53A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
BSC030N04NSGATMA1
Infineon Technologies

BSC030N04NSGATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 173862

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A (Ta), 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist
BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ520N15NS3GATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 32282

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 150V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 21A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 52 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist
BSR202NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR202NL6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 32267

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.8A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 21 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

Wishlist
BSC031N06NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC031N06NS3GATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 86039

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.1 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist
BSC010NE2LSATMA1
Infineon Technologies

BSC010NE2LSATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 32277

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 39A (Ta), 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
BSZ0902NSATMA1
Infineon Technologies

BSZ0902NSATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 32305

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 19A (Ta), 40A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
BSS806NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS806NH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 131359

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.3A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

Wishlist
BSZ097N04LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ097N04LSGATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 32268

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12A (Ta), 40A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9.7 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
BSR802NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR802NL6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 38769

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.7A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 23 mOhm @ 3.7A, 2.5V,

Wishlist
BSC100N06LS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC100N06LS3GATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 106178

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12A (Ta), 50A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist
BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies

BSZ110N08NS5ATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 189666

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 40A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
BSZ086P03NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ086P03NS3GATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 43035

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 13.5A (Ta), 40A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
BSC009NE2LSATMA1
Infineon Technologies

BSC009NE2LSATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 43056

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 41A (Ta), 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
BSZ040N04LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ040N04LSGATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 177522

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 18A (Ta), 40A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
BSZ060NE2LSATMA1
Infineon Technologies

BSZ060NE2LSATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 43085

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12A (Ta), 40A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
BSZ058N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ058N03LSGATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 43025

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15A (Ta), 40A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.8 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
BSS215PH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS215PH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 170066

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist
BSS205NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS205NH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139195

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Wishlist
BSC050N03LSGATMA1
Infineon Technologies

BSC050N03LSGATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 79622

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 18A (Ta), 80A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
BSC010NE2LSIATMA1
Infineon Technologies

BSC010NE2LSIATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 53791

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 38A (Ta), 100A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.05 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist
BTS244ZE3043AKSA2
Infineon Technologies

BTS244ZE3043AKSA2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 34547

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 55V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 35A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Wishlist
BSS119NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS119NH6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 140931

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 190mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6 Ohm @ 190mA, 10V,

Wishlist