စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို

BCX56H6359XTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6905

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

BCW68E6359HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6957

BCW61E6384HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6930

BCW66KE6359HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6940

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 450mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

BCW60E6422HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6688

BCW60FNE6393HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6891

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 32V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 550mV @ 1.25mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

BCV27E6395HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6921

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100µA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

BCV47E6393HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6736

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100µA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

BCR116E6393HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6895

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 500µA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

BC860CE6359HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6924

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 650mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC850CE6359HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6969

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC817K40E6359HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6895

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 700mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

BSP62E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6759

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.8V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

BSP50E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6770

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.8V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

BDP953E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6735

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V,

BFN18E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6740

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

BDP950E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6711

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

BDP948E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6739

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

BCX5616E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6748

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

BCX56E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6801

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

BCX5316E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6744

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

BCX 51-16 E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6745

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

BCV48E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6724

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100µA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

BCV 28 E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6774

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100µA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

BCP5616E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6799

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

BCP 55-16 E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 102969

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

BSP62H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6634

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.8V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

BSP61H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6608

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.8V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

BSP60H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6672

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.8V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

BSP52H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6636

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.8V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

BSP50H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6691

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.8V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

BFN39H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6644

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

BDP954H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6596

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

BFN38H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6621

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

BDP953H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6644

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V,

BDP950H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6618

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,