စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို

BC858BE6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191126

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 650mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

BC858AE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 158425

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 650mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

BC858CE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 144745

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 650mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BCW60DE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 192435

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 32V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 550mV @ 1.25mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

BCX70GE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 146623

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 550mV @ 1.25mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

BCW60CE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191193

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 32V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 550mV @ 1.25mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

BCX70JE6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 181931

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 550mV @ 1.25mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

BCW60BE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 103008

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 32V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 550mV @ 1.25mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

BCX70HE6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 176387

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 550mV @ 1.25mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

BC847CE6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 166679

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC850BE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 195621

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC850CE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 190672

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC849CE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 102641

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC847BE6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 103340

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC848CE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 106718

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC848BE6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4684

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

BC848AE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 132763

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

BC848CE6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 150577

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

BC848BE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 194410

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

PZTA14H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6610

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 300mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 100µA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

CHIPT0204GUE6327X6SA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6874

PZTA42H6327XTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6654

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

SMBTA 92 E6433

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6164

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

PZTA14E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6209

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 300mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 100µA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

MMBT3904LT3XT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6212

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

PZTA42E6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6629

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

SMBTA 42 E6433

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6167

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

SMBT 3906 E6767

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6663

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

SMBT 3906 B5003

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6128

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

SMBT 3904 B5003

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6168

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

CHIPT0110L3E6762SX2XA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5211

SMBTA64E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5451

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 100µA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

MMBTA92LT1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5524

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

SMBTA06E6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 140726

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

SMBT2222AE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 176038

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

PZTA92E6433HTMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4847

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 250nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,