Menu
မြန်မာမြန်မာ
rfqs / အမိန့်
0rfqs / အမိန့်

Transistor - Bipolar (BJT) - ကြိုတင်ဘက်လိုက်မှုတစ်

  • နေအိမ်
  •  
  • Transistor - Bipolar (BJT) - ကြိုတင်ဘက်လိုက်မှုတစ်
BCR 162F E6327
Infineon Technologies

BCR 162F E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1848

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR158WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR158WE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1840

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 162 B6327
Infineon Technologies

BCR 162 B6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1887

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 158T E6327
Infineon Technologies

BCR 158T E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1908

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 158L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 158L3 E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1838

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 158 B6327
Infineon Technologies

BCR 158 B6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1880

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 158F E6327
Infineon Technologies

BCR 158F E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1870

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 153T E6327
Infineon Technologies

BCR 153T E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1846

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Wishlist
BCR 153L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 153L3 E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1899

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Wishlist
BCR 153F E6327
Infineon Technologies

BCR 153F E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1847

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 2.2 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Wishlist
BCR 151L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 151L3 E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1890

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 151T E6327
Infineon Technologies

BCR 151T E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1855

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 151F E6327
Infineon Technologies

BCR 151F E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1827

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 100 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 100 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 149T E6327
Infineon Technologies

BCR 149T E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1902

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 149L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 149L3 E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1877

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 149F E6327
Infineon Technologies

BCR 149F E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3262

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 148T E6327
Infineon Technologies

BCR 148T E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1882

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR148WE6327BTSA1
Infineon Technologies

BCR148WE6327BTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1902

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 148F E6327
Infineon Technologies

BCR 148F E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3260

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 148L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 148L3 E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1913

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 148F B6327
Infineon Technologies

BCR 148F B6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1865

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 148 B6327
Infineon Technologies

BCR 148 B6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1911

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 146T E6327
Infineon Technologies

BCR 146T E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1826

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 146L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 146L3 E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3245

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 146F E6327
Infineon Technologies

BCR 146F E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1912

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 70mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR142WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR142WE6327HTSA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1824

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 142L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 142L3 E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1858

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 142T E6327
Infineon Technologies

BCR 142T E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1827

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR142B6327HTLA1
Infineon Technologies

BCR142B6327HTLA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1896

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 142F E6327
Infineon Technologies

BCR 142F E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1836

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 141T E6327
Infineon Technologies

BCR 141T E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1866

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 141F E6327
Infineon Technologies

BCR 141F E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1842

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 141L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 141L3 E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1865

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 139T E6327
Infineon Technologies

BCR 139T E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1828

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 139L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 139L3 E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1852

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist
BCR 139F E6327
Infineon Technologies

BCR 139F E6327

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1851

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Pre-Biased, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Wishlist