စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို

NZT560A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 193019

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 300mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

NSV60600MZ4T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 143165

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 6A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 350mV @ 600mA, 6A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

NZT7053

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 173024

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 100µA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 200nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

KSH2955TM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 125395

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 10A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 8V @ 3.3A, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

KSH127TF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 129670

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 8A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 4V @ 80mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

KSP94TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 149904

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 300mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 400V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 750mV @ 5mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V,

NZT6715

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 142947

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

NSS20500UW3TBG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 180519

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 260mV @ 400mA, 4A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

SMBT35200MT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 105786

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 35V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 310mV @ 20mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V,

NJVMJD122T4G-VF01

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 155342

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 8A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 4V @ 8A, 80mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

NSV20101JT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 113237

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 220mV @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

SBCW33LT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 101156

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 32V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 500µA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

PZT2907AT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 154610

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.6V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

NJVMJD127T4G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 140740

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 8A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 4V @ 80mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

SPZT3904T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 174062

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 5mA, 50mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MJL3281AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 20588

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 260V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 1A, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V,

SZT1010T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 157437

MMBT2369LT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 105766

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 200mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 15V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 400nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV,

NJVMJD128T4G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 196265

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 8A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 4V @ 80mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

NSS60600MZ4T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 182408

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 6A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 350mV @ 600mA, 6A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

MJD32CRLG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 186712

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.2V @ 375mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

KSC5502TU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 62137

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 600V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 200mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 500mA, 2.5V,

NZT560

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 104946

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 450mV @ 300mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

MMBT4403M3T5G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 132675

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 750mV @ 50mA, 500mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

KSH122TF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 161598

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 8A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 4V @ 80mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

NSVBC847BLT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 163147

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

NST856BF3T5G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 126581

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 65V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

SBC847CLT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 150514

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

KSH2955TF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 122338

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 10A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 8V @ 3.3A, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

MJD117T4G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 143456

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 40mA, 4A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

S1JVNJD2873T4G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 137867

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

FZT790A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 178438

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 750mV @ 50mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

MJH11020G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 20028

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 200V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 4V @ 150mA, 15A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V,

CPH3105-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 160338

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 100mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

MJ11022G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 11160

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 250V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3.4V @ 150mA, 15A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V,

MJE243G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 124203

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,