စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို

SNSS35200MR6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 187060

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 35V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 310mV @ 20mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V,

NSS1C300ET4G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 116014

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 300mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

SS8050DTA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 100854

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 25V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 80mA, 800mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

MSA1162GT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 199026

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

CPH3123-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 173010

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 650mV @ 100mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

KSH200TF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 127406

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 25V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.8V @ 1A, 5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

NSVMSB92T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 177387

SBC817-16LT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 105794

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 700mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

FJA4213OTU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 32776

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 17A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 250V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 800mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V,

SMMBTA92LT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 111988

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 250nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

SMSD602-RT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 113535

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 30mA, 300mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

NJV4031NT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 180927

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 300mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V,

SMMJT350T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 176742

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

CPH6123-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 116613

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 650mV @ 100mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

NSS40600CF8T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 176760

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 6A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 220mV @ 400mA, 4A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V,

NSM80100MT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 184465

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 1V,

NJV4030PT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 185377

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 300mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V,

NJVMJB42CT4G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 89201

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 6A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 600mA, 6A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 700µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

MJD5731T4G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 166897

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 350V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 200mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

PZTA06

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 101149

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

NSS12200LT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 196783

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 180mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

NSVBCP53-16T3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 175446

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

NJVMJD45H11RLG-VF01

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 178723

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 8A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 400mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

SPZT2222AT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 133505

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 600mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

NSVMMBT589LT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 179233

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 650mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

SNSS40600CF8T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 180523

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 6A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 220mV @ 400mA, 4A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 1A, 2V,

KSA708YTA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 192484

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 700mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 700mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V,

SBSP52T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 111474

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.3V @ 500µA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

MMBT2131T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 169194

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 700mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 70mA, 700mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 3V,

MPSA29-D26Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 95

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 100µA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 500nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

NJVMJD42CRLG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 164323

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 6A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 600mA, 6A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

KSH117TF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 114642

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 40mA, 4A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

NZT6717

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 153706

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 350mV @ 10mA, 250mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

MJD41CRLG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 153735

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 6A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 600mA, 6A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

NJL1302DG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 14005

Transistor အမျိုးအစား: PNP + Diode (Isolated), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 260V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 1A, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 50µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V,

KSE45H8TU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 119864

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 10A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 400mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V,