စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို

MJH11022G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 19121

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 250V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 4V @ 150mA, 15A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V,

FJP5027RTU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 83243

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 800V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 2V @ 300mA, 1.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V,

TIP32CTU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 118125

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.2V @ 375mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 200µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

MJ2955G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 26264

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 3.3A, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 700µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

KSB1366GTU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 84215

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V,

MJ15001G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 16504

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 140V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 400mA, 4A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 250µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 4A, 2V,

KSC5402DTTU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 193012

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 450V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 750mV @ 200mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 1A, 1V,

KSD363RTU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 78800

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 6A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1mA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V,

MJF32CG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 78821

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.2V @ 375mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 300µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

FJP13009TU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 68460

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 12A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 400V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 3A, 12A, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V,

NSV1C200LT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 143579

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

MJ14002G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5322

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 60A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 12A, 60A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V,

MJE15035G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 53104

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 350V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

MSB92AS1WT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 128261

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 250nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 10V,

MJE181G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135659

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.7V @ 600mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V,

NJW44H11G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 66461

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 10A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 400mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 4A, 2V,

NSVBC848BWT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 144616

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 5mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 15nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

MJE13007G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 80489

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 8A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 400V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 2A, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V,

TIP117TU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 106223

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 100V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 2.5V @ 8mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 2mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

MJD340G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135622

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

MJH11017G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 21670

Transistor အမျိုးအစား: PNP - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 4V @ 150mA, 15A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V,

TIP41AG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 114504

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 6A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 600mA, 6A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 700µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

MJL21196G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 15558

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 16A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 250V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 4V @ 3.2A, 16A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

NSV40301MZ4T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 109544

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 40V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 200mV @ 300mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V,

PZTA14

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 145996

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1.2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 100µA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

FJP5554TU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 197770

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 400V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 1A, 3.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 250µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V,

SBC817-25LT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 177623

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 45V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 700mV @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

MJE3439G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 120140

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 300mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 350V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 4mA, 50mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 20µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 10V,

NZT751

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 198988

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 4A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V,

MJD50G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 114502

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 400V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 200mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 200µA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

NSVMMBT4401WT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 199419

TIP111G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 114465

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 2.5V @ 8mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 2mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

MJ11012G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 17909

Transistor အမျိုးအစား: NPN - Darlington, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 30A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 4V @ 300mA, 30A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1mA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V,

FJP5555TU

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 145021

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 400V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 1A, 3.5A, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V,

MJE172G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135698

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.7V @ 600mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V,

NSS20201MR6T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 180751

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 150mV @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V,