Menu
မြန်မာမြန်မာ
rfqs / အမိန့်
0rfqs / အမိန့်

Transistor များ - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Bias

RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 138883

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1489

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1507

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN1970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1480

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist
RN2603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 181191

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1463

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN2968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1523

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN1968(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1968(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 134854

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN4982,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4982,LF(CT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 158270

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN4606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4606(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9902

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1375

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN1911FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1911FETE85LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 142375

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist
RN4902FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1489

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN1908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1908(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5402

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN2502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2502(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9911

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2910(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1510

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist
RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2706JE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 185153

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN4986(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4986(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1620

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN1968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1968FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3218

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN2902FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902FE(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1475

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN1607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1607(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 116281

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN2712JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2712JE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 178049

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist
RN1906FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906FE(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1636

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN1905,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1491

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN1961FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1446

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN1910FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1466

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist
RN4905T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4905T5LFT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3212

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN4904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4904(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1532

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN1501(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1501(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 179912

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN2971(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2971(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 187083

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist
RN4610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4610(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 196797

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist
RN4990(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4990(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 196989

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist
RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1909(T5L,F,T)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1368

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN1967FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1967FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1500

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist
RN2713JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2713JE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 125460

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist
RN2966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2966FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3147

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist