Menu
မြန်မာမြန်မာ
rfqs / အမိန့်
0rfqs / အမိန့်

Thyristors - SCRs

VS-ST1200C18K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C18K0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 312

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.8kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.73V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 1650A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 3080A,

Wishlist
VS-ST700C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C18L1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 580

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.8kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.8V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 910A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1857A,

Wishlist
VS-ST300C08C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C08C1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 967

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.18V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 650A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1290A,

Wishlist
VS-ST333C04CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFL1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 832

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 400V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.96V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 720A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1435A,

Wishlist
VS-ST1280C04K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C04K1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 326

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 400V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.44V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 2310A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 4150A,

Wishlist
VS-ST300S12P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S12P0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 465

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.66V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 300A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 470A,

Wishlist
VS-ST1230C14K0LP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0LP

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 394

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.4kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.62V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 1745A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 3200A,

Wishlist
VS-2N5206
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N5206

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3882

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 2V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 40mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.3V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 22A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 35A,

Wishlist
VS-ST300C12L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12L1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 595

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.18V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 650A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1290A,

Wishlist
VS-ST303C12LFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFK1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 359

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.16V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 620A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1180A,

Wishlist
VS-ST1200C12K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C12K0P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 341

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.73V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 1650A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 3080A,

Wishlist
VS-ST183C08CFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C08CFL0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 120

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.8V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 370A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 690A,

Wishlist
VS-ST1230C16K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 326

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.6kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.62V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 1745A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 3200A,

Wishlist
VS-ST173C12CFP0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C12CFP0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 955

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.07V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 330A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 610A,

Wishlist
VS-ST303C08LFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08LFN1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 496

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.16V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 620A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1180A,

Wishlist
VS-ST1230C16K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K1P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 353

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.6kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.62V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 1745A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 3200A,

Wishlist
VS-ST780C06L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C06L0L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 589

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 600V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.31V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 1350A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 2700A,

Wishlist
VS-ST110S08P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P0VPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1310

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 150mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.52V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 110A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 175A,

Wishlist
VS-ST333S08MFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08MFL1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 419

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.96V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 330A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 518A,

Wishlist
VS-10TTS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08S-M3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 90239

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 1V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 15mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.15V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 6.5A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 10A,

Wishlist
VS-ST330C14L0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14L0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 563

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.4kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.9V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 650A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1230A,

Wishlist
VS-ST330C14C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C14C1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 780

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.4kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.96V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 720A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1420A,

Wishlist
VS-ST333C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08LFL1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 518

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.96V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 720A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1435A,

Wishlist
VS-ST330S14P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S14P0PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 466

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.4kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.52V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 330A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 520A,

Wishlist
VS-ST300S12P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S12P0PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 672

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.66V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 300A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 470A,

Wishlist
VS-ST303S04PFN0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S04PFN0P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 533

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 400V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.16V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 300A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 471A,

Wishlist
VS-ST733C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST733C08LFL1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 519

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.63V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 940A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1900A,

Wishlist
VS-ST083S10PFK1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK1P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1043

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.15V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 85A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 135A,

Wishlist
VS-50RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA60

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 4874

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 600V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 2.5V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 100mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.6V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 50A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 80A,

Wishlist
VS-ST1230C12K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C12K0P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 409

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.62V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 1745A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 3200A,

Wishlist
VS-ST230C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C04C1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1593

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 400V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 150mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.69V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 410A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 780A,

Wishlist
VS-ST1230C14K1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 299

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.4kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.62V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 1745A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 3200A,

Wishlist
VS-81RIA80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA80PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2280

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 2.5V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 120mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.6V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 80A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 125A,

Wishlist
VS-ST230C12C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C1L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1173

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 150mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.69V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 410A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 780A,

Wishlist
VS-ST300C18C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 595

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.8kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.18V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 650A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1290A,

Wishlist
VS-40TTS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TTS12-M3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 27457

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 1.3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 35mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.6V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 25A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 40A,

Wishlist