Menu
မြန်မာမြန်မာ
rfqs / အမိန့်
0rfqs / အမိန့်

Thyristors - SCRs

VS-ST180C20C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C20C0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 720

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 150mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.96V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 350A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 660A,

Wishlist
VS-40TPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS16PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12393

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.6kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 2.5V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 150mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.85V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 35A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 55A,

Wishlist
VS-ST083S08PFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 858

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.15V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 85A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 135A,

Wishlist
VS-ST230C14C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C14C1L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1143

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.4kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 150mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.69V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 410A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 780A,

Wishlist
VS-ST303C12CFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFJ1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 720

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.16V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 620A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1180A,

Wishlist
VS-ST1230C08K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C08K0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 266

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.62V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 1745A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 3200A,

Wishlist
VS-25TTS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12STRL-M3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 60767

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 2V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 45mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.25V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 16A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 25A,

Wishlist
VS-ST330C16C3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 740

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.6kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.96V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 720A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1420A,

Wishlist
VS-50RIA60M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA60M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2615

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 600V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 2.5V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 100mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.6V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 50A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 80A,

Wishlist
VS-ST1200C12K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C12K0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 213

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.73V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 1650A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 3080A,

Wishlist
VS-ST1230C14K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 335

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.4kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.62V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 1745A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 3200A,

Wishlist
VS-ST180S04P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P0V

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 823

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 400V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 150mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.75V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 200A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 314A,

Wishlist
VS-ST303C12LFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFJ1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 429

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.16V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 620A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1180A,

Wishlist
VS-ST300S18M0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S18M0PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 383

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.8kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.66V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 300A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 470A,

Wishlist
VS-ST303C04CFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04CFN1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 836

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 400V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.16V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 620A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1180A,

Wishlist
VS-ST330S08P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S08P0PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 552

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.52V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 330A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 520A,

Wishlist
VS-ST330S16P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P0PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 491

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.6kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.52V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 330A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 520A,

Wishlist
VS-ST303S04PFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S04PFL0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 445

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 400V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.16V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 300A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 471A,

Wishlist
VS-ST230S08P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S08P1V

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 736

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 150mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.55V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 230A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 360A,

Wishlist
VS-ST333C04LFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFL0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 509

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 400V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.96V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 720A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1435A,

Wishlist
VS-ST303S08PFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S08PFL1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 419

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.16V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 300A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 471A,

Wishlist
VS-ST303C12CFK1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFK1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 662

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.16V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 620A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1180A,

Wishlist
VS-ST180C18C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C18C1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 736

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.8kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 150mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.96V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 350A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 660A,

Wishlist
VS-180RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI80

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1179

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 2.5V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 150mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.35V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 180A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 285A,

Wishlist
VS-ST330S14P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S14P0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 433

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.4kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.52V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 330A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 520A,

Wishlist
VS-180RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI40

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1258

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 400V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 2.5V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 150mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.35V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 180A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 285A,

Wishlist
VS-ST173C10CFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFK0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1085

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.07V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 330A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 610A,

Wishlist
VS-ST1000C22K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K0L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 393

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 2.2kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.8V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 1473A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 2913A,

Wishlist
VS-ST173C10CFP0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFP0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1001

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 2.07V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 330A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 610A,

Wishlist
VS-ST333S08PFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08PFL0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 471

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.96V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 330A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 518A,

Wishlist
VS-25TTS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16STRL-M3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 52738

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.6kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 2V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 45mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.25V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 16A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 25A,

Wishlist
VS-ST330C16L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L0L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 572

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1.6kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.96V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 720A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1420A,

Wishlist
VS-ST180S08M1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S08M1V

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 737

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 150mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.75V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 200A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 314A,

Wishlist
VS-ST380CH06C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380CH06C1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 737

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 600V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.58V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 960A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 2220A,

Wishlist
VS-ST333C08LFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08LFM0

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 441

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 800V, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 3V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 200mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.96V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 720A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 1435A,

Wishlist
VS-181RKI100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI100

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1038

ဗို့အား - ပြည်နယ်ပိတ်: 1kV, ဗို့အား - ဂိတ်အစပျိုး (Vgt) (မက်စ်): 2.5V, လက်ရှိ - Gate Trigger (Igt) (မက်စ်): 150mA, ဗို့အား - ပြည်နယ်တွင် (Vtm) (အမြင့်ဆုံး): 1.35V, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((AV)) (အများဆုံး): 180A, လက်ရှိ - ပြည်နယ် ((RMS)) (အမြင့်ဆုံး): 285A,

Wishlist