Transistor များ - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Bias

DMA564030R

DMA564030R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 111285

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMA566010R

DMA566010R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 179624

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMA561040R

DMA561040R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 170407

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG964030R

DMG964030R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 106574

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMA566050R

DMA566050R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 160839

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMC561020R

DMC561020R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 196522

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMA961040R

DMA961040R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 111900

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMC564020R

DMC564020R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 165260

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG563H50R

DMG563H50R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 169247

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMC964020R

DMC964020R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 140000

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMA566020R

DMA566020R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 155379

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMA9640M0R

DMA9640M0R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 167541

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG214010R

DMG214010R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 137803

Transistor အမျိုးအစား: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 210 @ 2mA, 10V,

Wishlist
DMA264060R

DMA264060R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 185639

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG9640N0R

DMG9640N0R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 114674

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMC266050R

DMC266050R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 105770

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMA561080R

DMA561080R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 155999

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 510 Ohms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 5.1 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG5640N0R

DMG5640N0R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 106005

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG964H50R

DMG964H50R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 145382

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG264060R

DMG264060R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139842

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG964H10R

DMG964H10R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 102063

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMA261040R

DMA261040R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 124693

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMC561030R

DMC561030R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 186126

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG563H10R

DMG563H10R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 142784

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG963H50R

DMG963H50R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 161110

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG964H30R

DMG964H30R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135129

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, 1 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG264H00R

DMG264H00R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 166782

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V,

Wishlist
DMA964030R

DMA964030R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 167569

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG964040R

DMG964040R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 119413

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMA564040R

DMA564040R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 113146

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMA5610H0R

DMA5610H0R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 197245

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMC264030R

DMC264030R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 134569

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMC964050R

DMC964050R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 187957

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMA266030R

DMA266030R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 182621

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
UP0431200L

UP0431200L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1421

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XN0121E00L

XN0121E00L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1434

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist