Transistor များ - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Bias

XP0421300L

XP0421300L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1468

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XN0411200L

XN0411200L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1391

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMC564070R

DMC564070R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 118047

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XP0339000L

XP0339000L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1544

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XP0121300L

XP0121300L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1475

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XN0421500L

XN0421500L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1401

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
UP0421500L

UP0421500L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 181231

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XP0621200L

XP0621200L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1473

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XP0121500L

XP0121500L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1407

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
UP01213G0L

UP01213G0L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 187887

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XP0621000L

XP0621000L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1473

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG264020R

DMG264020R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139566

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XN0111M00L

XN0111M00L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1478

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XP0421M00L

XP0421M00L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1422

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
NP0G3A000A

NP0G3A000A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1454

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 80mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XN0111000L

XN0111000L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1458

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
UP04311G0L

UP04311G0L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 169891

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wishlist
UP0411MG0L

UP0411MG0L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1477

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 2.2 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XP0111100L

XP0111100L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1396

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XP0121200L

XP0121200L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1396

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XP0111900L

XP0111900L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 171022

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 1 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMC261010R

DMC261010R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 122595

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XP0121700L

XP0121700L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1454

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
UP04213G0L

UP04213G0L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 104699

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG964060R

DMG964060R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139941

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMG264040R

DMG264040R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 138992

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XP0111300L

XP0111300L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1431

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMA264050R

DMA264050R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 138706

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMC564040R

DMC564040R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 131200

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
NP062AN00A

NP062AN00A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191416

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 80mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XN0421300L

XN0421300L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1434

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMA261010R

DMA261010R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 177827

Transistor အမျိုးအစား: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMC261020R

DMC261020R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 168460

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 22 kOhms, ခံနိုင်ရည် - ထုတ်လွှတ်မှုအခြေစိုက်စခန်း (R2): 22 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wishlist
UP0431500L

UP0431500L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 1397

Transistor အမျိုးအစား: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 10 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
XN0121000L

XN0121000L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5344

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 47 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist
DMC566060R

DMC566060R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 149235

Transistor အမျိုးအစား: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, ခံနိုင်ရည် - အခြေစိုက်စခန်း (R1): 4.7 kOhms, DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wishlist