Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

PHKD13N03LT,118

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2834

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 250µA,

SI3911DV-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2792

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI4565ADY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2757

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.6A, 5.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI7945DP-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2809

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI6993DQ-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2801

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 31 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI5905BDC-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2802

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SI5943DU-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3377

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SI5935DC-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2861

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 86 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SI3586DV-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2865

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.9A, 2.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.1V @ 250µA,

IRF7755GTRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2770

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7335D1TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2727

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 17.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7331

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2682

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7316QTRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3347

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7503TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2661

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7343QTRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2838

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 55V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.7A, 3.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7757TRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2819

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7304TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2707

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 700mV @ 250µA,

TPCL4203(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3305

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 200µA,

FDG6313N

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2667

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 500mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMFD4C88NT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 36648

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11.7A, 14.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTLJD2104PTAG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2796

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 800mV @ 250µA,

FDG6304P_D87Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2747

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 410mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVMFD5489NLT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 103434

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

EMH2412-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2854

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 24V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 27 mOhm @ 3A, 4.5V,

NTZD3156CT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2797

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 540mA, 430mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

HUFA76504DK8T

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2775

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 200 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC4627R-A-TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 134119

NSTJD1155LT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2852

ECH8659-M-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2889

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 4V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,

NTND31225CZTAG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 21663

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel Complementary, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 220mA (Ta), 127mA (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

FW282-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2908

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 35V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 37 mOhm @ 6A, 10V,

VEC2616-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2969

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A, 2.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.6V @ 1mA,

STS4DPF30L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 107386

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

EPC2102

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 24374

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 7mA,

SP8M9FU6TB

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2786

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9A, 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,

US5K3TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2728

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.5A,