Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

NTHD2102PT1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2736

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTJD2152PT2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2687

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 775mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

FDR8305N

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2685

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 22 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTHD5904T1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3342

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 600mV @ 250µA,

NTJD2152PT1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3331

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 775mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMD6N03R2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2644

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

ECH8659-TL-HX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2893

NTUD3171PZT5G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2770

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 200mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

NTHD5903T1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2841

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 600mV @ 250µA,

NDS9933

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2913

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 110 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMD2C02R2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3292

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.2A, 3.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 43 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDY3001NZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2778

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 200mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS9933

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2763

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 55 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

MMDF2P02HDR2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2669

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 160 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 250µA,

SI7214DN-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 99156

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 40 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4532ADY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139238

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.7A, 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SI5513DC-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2794

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.1A, 2.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI5947DU-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2793

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI7909DN-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2903

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 700µA,

SIZ914DT-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 89189

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 16A, 40A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.4V @ 250µA,

SI4834BDY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2745

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SIB911DK-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2804

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SI7224DN-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139892

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SMMB911DK-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2878

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SI4913DY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2758

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 500µA,

QJD1210011

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3308

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Silicon Carbide (SiC), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 5V @ 10mA,

MP6M12TCR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2901

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,

IRF7324PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 40730

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7313QTRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2771

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7103Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2957

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 50V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMN6A09DN8TC

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2680

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 40 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMN3A06DN8TC

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2755

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

UPA2670T1R-E2-AX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2933

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 79 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

PHKD6N02LT,518

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 148309

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 mOhm @ 3A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

LP1030DK1-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2955

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 300V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 180 Ohm @ 20mA, 7V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.4V @ 1mA,

LN100LA-G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2875

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Cascoded), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 1200V (1.2kV), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.6V @ 10µA,