Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

EMH2407-S-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2884

NTND3184NZTAG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 107176

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 220mA (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

FW344A-TL-2W

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2933

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 4V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, 3.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 64 mOhm @ 4.5A, 10V,

CPH5617-TL-E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 186363

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 150mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

FDW2503N

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2761

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2506P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2777

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 22 mOhm @ 5.3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

MMDF2P02ER2G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2699

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 250 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

NDS8947

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3294

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 65 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.8V @ 250µA,

NTZD3152PT1H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 106213

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 430mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

NTGD4161PT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2811

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 160 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

FDC6020C

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2737

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.9A, 4.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTMD5836NLR2G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2882

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9A, 5.7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI5944DU-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2715

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 112 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI1016X-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2759

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 485mA, 370mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SI5904DC-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2807

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI9936BDY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2872

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

VQ2001P-2

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2875

FET အမျိုးအစား: 4 P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 600mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2 Ohm @ 1A, 12V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4.5V @ 1mA,

SIA911DJ-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2844

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SI4814BDY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3376

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10A, 10.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4818DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2835

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.3A, 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),

SI7904DN-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2818

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 30 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 935µA,

SI5920DC-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2868

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SI5519DU-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2823

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.8V @ 250µA,

SI1903DL-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2791

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 410mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI1905DL-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2724

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 570mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 600 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI6983DQ-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2714

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 400µA,

VQ2001P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2906

FET အမျိုးအစား: 4 P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 600mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2 Ohm @ 1A, 12V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4.5V @ 1mA,

DI9952T

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2661

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.9A,

SP8M5FU6TB

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3289

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,

IRF7307PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 94382

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.2A, 4.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 700mV @ 250µA,

IRF8915

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2731

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

IRF7756TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3371

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 900mV @ 250µA,

IRF7506TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2648

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7328PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 58156

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

IRF7756GTRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2800

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 900mV @ 250µA,

CTLDM303N-M832DS TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191348

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,