Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

ECH8672-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3295

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 85 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

FDC6320C

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 111333

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 220mA, 120mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

MCH6660-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2880

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2A, 1.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 136 mOhm @ 1A, 4.5V,

EMH2407-S-TL-HX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3321

NTJD4401NT1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2700

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 630mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTJD3158CT2G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2856

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 630mA, 820mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

IRF7751GTRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2740

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

IRF5810TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2641

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF8852TRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2855

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11.3 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.35V @ 25µA,

IRF5850

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2724

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

SIB914DK-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2810

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 800mV @ 250µA,

SI4226DY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2801

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 250µA,

SI7270DP-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139888

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.8V @ 250µA,

SI1035X-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2711

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 180mA, 145mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 400mV @ 250µA (Min),

SI5902DC-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2714

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SI6925ADQ-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2762

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.8V @ 250µA,

SI7945DP-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2759

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI6967DQ-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2864

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 30 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SIA915DJ-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 188602

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI1024X-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3329

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 485mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 900mV @ 250µA,

SI1988DH-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3369

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SI5980DU-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2827

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 567 mOhm @ 400mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 250µA,

SI7946DP-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2835

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 150V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 150 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 250µA,

SQ9945AEY-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2873

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SIZ920DT-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 87034

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 40A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI5933CDC-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 194649

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SIA914DJ-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2803

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

UPA1764G-E2-AZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3354

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 3.5A, 10V,

TPC8221-H,LQ(S

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2821

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.3V @ 100µA,

SSM6N7002BFU(T5L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3306

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 200mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.1V @ 250µA,

EPC2104ENG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2913

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 23A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 5.5mA,

CSD75205W1015

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2801

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 120 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 850mV @ 250µA,

GWM120-0075P3-SMD

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2805

FET အမျိုးအစား: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 75V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 118A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 1mA,

SP8J1TB

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2724

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8K22FU6TB

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 115178

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 45V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,

VT6K1T2CR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 166434

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 100µA,