Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

SP8M70TB1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 89658

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 250V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A, 2.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 1mA,

SI1967DH-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 177519

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SI7218DN-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 159065

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 24A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SQJ914EP-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2508

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI5948DU-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 153924

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 82 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SIS990DN-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 178823

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 85 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 250µA,

SI7220DN-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 82356

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SQJ946EP-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 173017

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 33 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SIS903DN-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2575

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

SIA921EDJ-T4-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 178268

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.4V @ 250µA,

NX3008PBKS,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 177372

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 200mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.1V @ 250µA,

NX3008CBKS,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 146141

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 350mA, 200mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.1V @ 250µA,

IPG20N06S4L26AATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 186995

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 10µA,

IPG20N10S4L35ATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 169062

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.1V @ 16µA,

IPG16N10S461AATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 195163

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 16A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.5V @ 9µA,

IPG20N04S4L08ATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 128418

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 22µA,

IRF7351TRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 111531

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 17.8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 50µA,

IPG20N06S2L35AATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 128569

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 55V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 27µA,

IRF9953TRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 182561

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

IPG20N04S412AATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 165975

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 15µA,

EPC2107ENGRT

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 82626

FET အမျိုးအစား: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.7A, 500mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

FDS4935A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 147695

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

NTMFD4C87NT3G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 32594

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11.7A, 14.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDS9926A

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 151006

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS9934C

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 179792

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.5A, 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8655R-R-TL-H

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 144107

NTJD4001NT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 105829

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 250mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 100µA,

NTJD4152PT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 195187

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 880mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NDS9945

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 124416

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5853NLT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 113880

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.4V @ 250µA,

FW4604-TL-2W

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 128054

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 39 mOhm @ 6A, 10V,

DMP58D0SV-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 194639

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 50V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 160mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.1V @ 250µA,

DMN26D0UDJ-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 112847

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 240mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.05V @ 250µA,

DMG6602SVTQ-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 143884

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.4A, 2.8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.3V @ 250µA,

SSM6P36FE,LM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 140070

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 330mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

SSM6N48FU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3270

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 100µA,