Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

DMN2040LSD-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2799

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 26 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

ZXMD65N02N8TA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2663

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

ZDM4206NTA

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2634

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 1mA,

DMN32D2LDF-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 157687

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Source, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 400mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

SI4947ADY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2852

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SI1913DH-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2766

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 880mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 100µA,

SI4276DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2851

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI3905DV-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2849

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI4913DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2852

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 500µA,

SI3909DV-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2826

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 500mV @ 250µA (Min),

SI4944DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2874

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4933DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2815

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 500µA,

SI7909DN-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2908

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 700µA,

SI7844DP-T1-E3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3302

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.4V @ 250µA,

SI4567DY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2812

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A, 4.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 250µA,

NTTD1P02R2G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2740

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.45A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.4V @ 250µA,

FDW2601NZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2725

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 15 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6314P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2687

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V,

FDC6322C

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2713

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 25V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 220mA, 460mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTLGD3502NT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2831

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.3A, 3.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 250µA,

NTLJD2105LTBG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2816

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 8V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

NTHD5902T1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2641

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

FDZ2553NZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2698

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14 mOhm @ 9.6A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

IRF7104PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 100274

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

IRF7328TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2700

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

IRF7304PBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 67896

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 700mV @ 250µA,

IRF7530TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2684

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7755

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2693

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7350TRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3331

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.1A, 1.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 210 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 250µA,

IRF7306QTRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2778

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

STS3DPF60L

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2674

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 120 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

VMM1000-01P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2737

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1000A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.2 Ohm @ 800A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 10mA,

FMM300-0055P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2746

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 55V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 300A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.6 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 2mA,

QJD1210SB1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2931

SP8M8TB

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 3276

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A, 4.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 1mA,

PHKD13N03LT,518

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 123779

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10.4A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 250µA,