Transistor များ - FETs, MOSFETs - Arrays များ

IPG20N06S4L11AATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 94288

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.2V @ 28µA,

IRF7309TRPBF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 150382

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A, 3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

IPG20N04S408ATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 104533

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 30µA,

IPG20N10S4L35AATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 155833

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.1V @ 16µA,

IPG20N04S412ATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 172931

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 4V @ 15µA,

IPG20N10S436AATMA1

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139478

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 36 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3.5V @ 16µA,

SI9926CDY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 111109

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SQJ504EP-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2528

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4816BDY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 93645

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Half Bridge), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.8A, 8.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 18.5 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SI9945BDY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 172002

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SQJ244EP-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 2521

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A (Tc), 60A (Tc), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI6562CDQ-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 161237

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.7A, 6.1A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI6913DQ-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 172370

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.9A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 21 mOhm @ 5.8A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 900mV @ 400µA,

SI4936CDY-T1-GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 170890

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

SQJ202EP-T1_GE3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 136680

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A, 60A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 250µA,

QS6J11TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 168987

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 105 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

EM6K7T2R

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 107116

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 200mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 1mA,

QS8K2TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 107158

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 54 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 1mA,

QS6J3TR

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 190781

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2V @ 1mA,

FDS8960C

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 111818

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 35V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A, 5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

NTLUD3A260PZTAG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 147558

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 200 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

EFC2J003NUZTCG

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 117536

NTZD3154NT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 148850

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 540mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1V @ 250µA,

FDC6312P

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 122807

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6910

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 118152

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.5A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT1G

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 126305

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 630mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.5V @ 250µA,

CSD87333Q3D

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 148026

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, 5V Drive, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14.3 mOhm @ 4A, 8V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.2V @ 250µA,

CSD75208W1015

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 129424

FET အမျိုးအစား: 2 P-Channel (Dual) Common Source, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.6A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 68 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.1V @ 250µA,

DMG9926UDM-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 140078

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.2A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 28 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMN2400UV-7

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 180036

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.33A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMN6066SSD-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 191351

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.3A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 66 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC4040SSD-13

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 197787

FET အမျိုးအစား: N and P-Channel, အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6.8A, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.8V @ 250µA,

PMDXB600UNELZ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 153614

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 600mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 950mV @ 250µA,

NX3008NBKS,115

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 184047

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Logic Level Gate, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 350mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 1.1V @ 250µA,

EPC2107

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 79571

FET အမျိုးအစား: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap), အင်္ဂါရပ် FET: GaNFET (Gallium Nitride), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 1.7A, 500mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA,

SSM6N7002KFU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 124781

FET အမျိုးအစား: 2 N-Channel (Dual), အင်္ဂါရပ် FET: Standard, အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 300mA, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (ကြိမ်မြောက်) (မက်စ်) @ Id: 2.1V @ 250µA,