Menu
မြန်မာမြန်မာ
rfqs / အမိန့်
0rfqs / အမိန့်

စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

SSM6K202FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K202FE,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 167951

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.3A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 85 mOhm @ 1.5A, 4V,

Wishlist
TPCA8010-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8010-H(TE12LQM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 643

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 200V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 450 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wishlist
TPC8042(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8042(TE12L,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 758

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 18A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.4 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist
TPC8113(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8113(TE12L,Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 625

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist
TPC8051-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8051-H(TE12L,Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 764

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 13A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9.7 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist
SSM6J216FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J216FE,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 13269

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.8A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Wishlist
TPCA8005-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8005-H(TE12LQM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 644

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 27A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist
TPCA8105(TE12L,Q,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8105(TE12L,Q,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 711

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 33 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist
TPCA8036-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8036-H(TE12L,Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 729

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 38A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.2 mOhm @ 19A, 10V,

Wishlist
TPC8014(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8014(TE12L,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 630

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 14 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist
TPCA8008-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8008-H(TE12LQM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 655

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 250V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 580 mOhm @ 2A, 10V,

Wishlist
TPCA8012-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8012-H(TE12LQM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 634

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 40A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.9 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
TK50P04M1(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK50P04M1(T6RSS-Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 185151

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 50A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist
TPCP8003-H(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8003-H(TE85L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 798

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.2A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 180 mOhm @ 1.1A, 10V,

Wishlist
TPC8036-H(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8036-H(TE12L,QM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6159

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 18A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.5 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist
TPCA8103(TE12L,Q,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8103(TE12L,Q,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 630

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 40A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.2 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist
SSM5N15FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM5N15FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 164036

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

Wishlist
TPC8021-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8021-H(TE12LQ,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 614

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 17 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist
TPCA8003-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8003-H(TE12LQM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 635

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 35A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.6 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist
TPC8026(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8026(TE12L,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 726

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 13A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.6 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist
TPC8022-H(TE12LQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8022-H(TE12LQ,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 687

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 27 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wishlist
TPCA8A01-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8A01-H(TE12L,Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 677

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 36A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.6 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist
TPC8038-H(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8038-H(TE12L,Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 677

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11.4 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist
TPCP8001-H(TE85LFM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8001-H(TE85LFM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 692

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7.2A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 16 mOhm @ 3.6A, 10V,

Wishlist
TPCA8A04-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8A04-H(TE12L,Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 747

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 44A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.2 mOhm @ 22A, 10V,

Wishlist
TPCA8031-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8031-H(TE12L,Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 612

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 24A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist
TPCF8102(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8102(TE85L,F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 637

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 30 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist
TK70D06J1(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK70D06J1(Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6092

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 70A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.4 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist
SSM6J213FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J213FE(TE85L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 116856

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.6A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist
TPC8031-H(TE12LQM)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8031-H(TE12LQM)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 703

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 13.3 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist
TPCP8005-H(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8005-H(TE85L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 736

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12.9 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist
TPC8032-H(TE12LQM)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8032-H(TE12LQM)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 631

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 6.5 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist
TPC8110(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8110(TE12L,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 616

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist
TK5P60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK5P60W,RVQ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 90358

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 900 mOhm @ 2.7A, 10V,

Wishlist
TK8P60W5,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK8P60W5,RVQ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 102262

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 8A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 560 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist
TK20J60U(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK20J60U(F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12228

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 190 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist