စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

နေအိမ်
စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

TPC8018-H(TE12LQM)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8018-H(TE12LQM)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 679

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 18A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.6 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist

TPCA8A02-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8A02-H(TE12LQM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6139

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 34A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.3 mOhm @ 17A, 10V,

Wishlist

TPC6006-H(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6006-H(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 613

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.9A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 75 mOhm @ 1.9A, 10V,

Wishlist

TPC8A02-H(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8A02-H(TE12L,Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6153

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 16A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.6 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist

TPC8115(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8115(TE12L,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 662

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 10A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wishlist

SSM6J206FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J206FE(TE85L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 122160

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 130 mOhm @ 1A, 4V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K211FE,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 118254

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.2A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 47 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist

TPC6107(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6107(TE85L,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 696

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 55 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

Wishlist

TPCA8011-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8011-H(TE12LQM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 702

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 40A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.5 mOhm @ 20A, 4.5V,

Wishlist

TPCA8023-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8023-H(TE12LQM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 617

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 21A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 12.9 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist

SSM6P16FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P16FE(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 122091

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TK60D08J1(Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 605

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 75V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 60A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.8 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist

TPC8035-H(TE12L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8035-H(TE12L,QM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 724

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 18A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.2 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TK55D10J1(Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 607

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 55A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 10.5 mOhm @ 27A, 10V,

Wishlist

TPC8033-H(TE12LQM)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8033-H(TE12LQM)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 654

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 17A (Ta), အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.3 mOhm @ 8.5A, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH4R003NL,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 177522

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 40A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist

TK15A60U(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK15A60U(STA4,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 19386

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 300 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist

TPC6109-H(TE85L,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6109-H(TE85L,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 580

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 59 mOhm @ 2.5A, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH5R906NH,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 101405

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 28A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 5.9 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2R703NL,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 157904

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 45A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.7 mOhm @ 22.5A, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH3R203NL,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 152151

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 47A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.2 mOhm @ 23.5A, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1R603PL,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 133183

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 80A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.6 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R712MD,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 127241

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 36A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.7 mOhm @ 18A, 4.5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPW1R005PL,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 58868

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 45V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 300A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH7R506NH,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 117819

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 22A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.5 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH4R008NH,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 56308

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 60A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist

TPCA8051-H(T2L1,VM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8051-H(T2L1,VM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 50520

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 28A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 9.4 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR6503PL,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 89887

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 150A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 0.65 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R204PL,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 127090

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 40V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 150A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.24 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR9203PL,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 87586

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 150A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN7R506NH,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 186783

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 26A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 7.5 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

TPW4R008NH,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 87538

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 80V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 116A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist

TPCF8104(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8104(TE85L,F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9727

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 28 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist

TPCF8B01(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8B01(TE85L,F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9844

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 2.7A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 110 mOhm @ 1.4A, 4.5V,

Wishlist

TPCF8A01(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8A01(TE85L)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 9829

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist

TPCF8101(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8101(TE85L,F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6036

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 28 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist

741

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»