Menu
မြန်မာမြန်မာ
rfqs / အမိန့်
0rfqs / အမိန့်

စစ္ - FETs, MOSFETs - လူပျို

TK31V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK31V60W,LVQ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 15568

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30.8A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 98 mOhm @ 15.4A, 10V,

Wishlist
TPW4R50ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPW4R50ANH,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 93811

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 100V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 92A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 4.5 mOhm @ 46A, 10V,

Wishlist
SSM6J215FE(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J215FE(TE85L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 179583

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 59 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist
SSM3K123TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K123TU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 154973

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.2A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 28 mOhm @ 3A, 4V,

Wishlist
TK35N65W5,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage

TK35N65W5,S1F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 8137

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 650V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 35A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 95 mOhm @ 17.5A, 10V,

Wishlist
TK31N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage

TK31N60W5,S1VF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 10406

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30.8A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 99 mOhm @ 15.4A, 10V,

Wishlist
TK35A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK35A65W,S5X

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 10249

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 650V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 35A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 80 mOhm @ 17.5A, 10V,

Wishlist
SSM3K72CTC,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72CTC,L3F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 165309

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 150mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist
TK31E60X,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK31E60X,S1X

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 12874

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30.8A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 88 mOhm @ 9.4A, 10V,

Wishlist
TPW1R306PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPW1R306PL,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 52018

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 260A (Tc), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.29 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist
SSM3J120TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J120TU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 181550

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 38 mOhm @ 3A, 4V,

Wishlist
TK31E60W,S1VX
Toshiba Semiconductor and Storage

TK31E60W,S1VX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 10871

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 30.8A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

Wishlist
SSM3J351R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J351R,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 125673

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 3.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 134 mOhm @ 1A, 10V,

Wishlist
TPCA8026(TE12L,Q,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8026(TE12L,Q,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 77538

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 45A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.2 mOhm @ 23A, 10V,

Wishlist
SSM3K7002CFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K7002CFU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 113529

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 170mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist
TPH5900CNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH5900CNH,L1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 139118

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 150V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 59 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist
TK39N60W5,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage

TK39N60W5,S1VF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 10492

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 38.8A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 74 mOhm @ 19.4A, 10V,

Wishlist
SSM3J334R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J334R,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 114000

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 71 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist
SSM3K333R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K333R,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 181888

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 30V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 6A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 28 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist
SSM3K37FS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K37FS,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 164622

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 200mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist
SSM6K781G,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K781G,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 168957

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 7A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 18 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist
SSM3K72KCT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72KCT,L3F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 168170

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 400mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist
SSM3J130TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J130TU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 194401

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 4.4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 25.8 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist
SSM3K16CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CT,L3F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 21564

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 20V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 100mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

Wishlist
TK16A60W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK16A60W,S4X

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 29509

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15.8A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 190 mOhm @ 7.9A, 10V,

Wishlist
TK9J90E,S1E
Toshiba Semiconductor and Storage

TK9J90E,S1E

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 20952

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 900V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V,

Wishlist
TK14C65W5,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TK14C65W5,S1Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 26069

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 650V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 13.7A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 300 mOhm @ 6.9A, 10V,

Wishlist
TK13A50DA(STA4,Q,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TK13A50DA(STA4,Q,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 30522

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 500V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 12.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 470 mOhm @ 6.3A, 10V,

Wishlist
SSM3J132TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J132TU,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 103604

FET အမျိုးအစား: P-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 12V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 5.4A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 17 mOhm @ 5A, 4.5V,

Wishlist
TK12A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A60W,S4VX

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 20769

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11.5A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 300 mOhm @ 5.8A, 10V,

Wishlist
TK15A60D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK15A60D(STA4,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 24154

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 15A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 370 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wishlist
TK9A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage

TK9A65W,S5X

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 30056

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 650V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 9.3A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 500 mOhm @ 4.6A, 10V,

Wishlist
TK11A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK11A55D(STA4,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 31876

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 550V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 11A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 630 mOhm @ 5.5A, 10V,

Wishlist
TK20V60W,LVQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK20V60W,LVQ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 26594

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 600V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 20A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 170 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist
T2N7002AK,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

T2N7002AK,LM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 154374

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 60V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 200mA (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist
TK14A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

TK14A55D(STA4,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 26114

FET အမျိုးအစား: N-Channel, နည်းပညာ: MOSFET (Metal Oxide), အရင်းအမြစ် Voltage (Vdss) မှယိုစီး: 550V, လက်ရှိ - ၂၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် @ အဆက်မပြတ်ယိုစီးမှု (Id): 14A (Ta), Drive ဗို့အား (Max Rds On, Min Rds On): 10V, အိုင်ဒီ, Vg @ @ (မက်စ်) တွင် RDS: 370 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist