စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို | Discrete Semiconductor ထုတ်ကုန်များ | 11

2SA1930(Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 150987

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 180V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1887(F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6584

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 10A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 250mA, 5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1244-Y(Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6565

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 150mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1242-Y(Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6708

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100mA, 4A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,T6F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6350

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3328-Y,HOF(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6392

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,WNLF(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6324

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y(T6DNS,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6336

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 160V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,USNHF(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6349

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND1,AF)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6343

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-GR,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 140733

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3265-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 142540

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 25V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 20mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-O,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 116579

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-O(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 147650

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 193749

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y, LF(D

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5659

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793(F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 163735

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200-O(Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 22720

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 800mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 96385

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-O(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 166553

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-GR,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 198197

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 109658

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-O(TE85L,F)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 189229

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5232BTE85LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5292

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 200mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-BL(TE85L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6617

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVBTPL3Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 123818

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 400mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 200mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVATPL3Z

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 148939

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 400mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 12V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 200mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5549,T6F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5308

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 400V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 25mA, 200mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 40mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5459(TOJS,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5238

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 400V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 150mA, 1.2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 300mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3672-O(T2ASH,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5234

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5270

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,WNLF(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5274

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4604,T6F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5285

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 75mA, 1.5A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6KMATFM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5224

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MITIFM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5266

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MIT1FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5302

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist