စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို | Discrete Semiconductor ထုတ်ကုန်များ | 11

2SA949-Y,ONK-1F(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6969

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 1mA, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7016

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6976

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 1mA, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6938

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 1mA, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6937

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 1mA, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6975

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 1mA, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6952

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 1mA, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7006

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 1mA, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-O(TE6,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6949

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 1mA, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6969

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 50mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 150V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 800mV @ 1mA, 10A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,T6WNLF(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 5673

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 400V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6973

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 400V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7026

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6986

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6951

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6948

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6957

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6946

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6957

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6765

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6941

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 5A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7022

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 180V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6775

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 180V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6939

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 180V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7019

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 180V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6989

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 180V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6940

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 180V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7005

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6727

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7004

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6990

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 600mV @ 200mA, 2A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6947

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6752

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6966

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6942

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6984

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wishlist