စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို | Discrete Semiconductor ထုတ်ကုန်များ | 11

2SA1943N(S1,E,S)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 30936

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 800mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 133517

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-GR,L3F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 125949

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-OTE85LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 103394

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324GRTE85LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 72

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CTGRTPL3

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 154

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-GR(TE85L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 155

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1182-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 105735

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-GR,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 114972

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-BL,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 141073

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 182069

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1298-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 110660

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 25V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 400mV @ 20mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-BL,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 194721

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-O,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 146528

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312-BL(TE85L,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 123

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 160315

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB906-Y(TE16L1,NQ

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 107

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.7V @ 300mA, 3A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 100369

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213BTE85LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 179590

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 300mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 20V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 100mV @ 3mA, 30A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-BL,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 124685

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-GR,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 122917

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 500mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 30V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-Y,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 134403

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026MFVGR,L3F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 189199

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 250mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-GR,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 172547

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 150mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 10mA, 100mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6076(TE16L1,NV)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 135662

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 3A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 80V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 100mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-BL,LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 106998

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 300mV @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5242-O(Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 515

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 800mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1962-O(Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 22703

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 800mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1943-O(Q)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 22767

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 800mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200N(S1,E,S)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 30915

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 15A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 230V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 3V @ 800mA, 8A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 5µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721RTE85LF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7061

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 2mA, 20mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6NSF(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7009

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6WNLF(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7019

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7049

Transistor အမျိုးအစား: PNP, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7066

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6988

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 60V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 1mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 10µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Wishlist