စစ္ - Bipolar (BJT) - လူပျို | Discrete Semiconductor ထုတ်ကုန်များ | 11

2SC2655-Y(T6STL,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7032

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6ND2,AF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6995

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6ND3,AF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6996

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6ND1,AF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6997

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6CN,A,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7026

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6CANOFM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6951

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(6MBH1,AF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6790

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(HIT,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7001

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(TE6,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7046

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O,F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7041

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND2,AF)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6981

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 2A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 50V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 500mV @ 50mA, 1A, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(T6TOJS,F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6736

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2482(FJTN,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6967

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 100mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 300V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 1mA, 10mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y,T6KEHF(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6957

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 160V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O,T6ALPF(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6977

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 160V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-O(T6OMI,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7010

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 1A, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 160V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1.5V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 1µA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6USNF(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7019

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6KEHF(M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6713

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6953

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7010

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,T6ASHF(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6976

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6OMI,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7020

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6ND,AF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7033

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6FJT,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7003

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6FJT,AF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7043

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6CANOFM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7009

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6CN,A,F

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6993

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(MBSH1,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7012

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(DNSO,AF)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7039

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(6MBH1,AF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7029

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O,F(J

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6952

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6FJT,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6998

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6FJT,AF

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6772

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(T6ASN,FM

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 7019

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-O(FA1,F,M)

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6974

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235(T6KMAT,F,M

အပိုင်းစတော့ရှယ်ယာ: 6979

Transistor အမျိုးအစား: NPN, current - Collector (Ic) (အမြင့်ဆုံး): 800mA, ဗို့အား - စုဆောင်းသူထုတ်လွှတ်သူပြိုကွဲခြင်း (အမြင့်ဆုံး): 120V, Ib, IC @ @ Vce Saturation (မက်စ်): 1V @ 50mA, 500mA, လက်ရှိ - ကောက်ခံရေး Cutoff (မက်စ်): 100nA (ICBO), DC current gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Wishlist